ERAEngineering Research and Application2995-31542993-2742Art and Technology10.61369/ERA.2026070028Article基于减薄工艺的大量程测量研究https://artdesignp.com/journal/ERA/4/7/10.61369/ERA.2026070028白阳,梁津,孙莉莉,马标2026472026-07-20碳化硅因其独特的材料特性和化学稳定性，已成为第三代半导体的代表性材料。然而，其最大减薄厚度可达传统硅材料减薄厚度的50倍，传统测量方式已难以满足相应的测量需求，因此亟需开发一种高精度、大量程的测量机构。本文介绍了超厚产品减薄过程中的测量原理与实现方法，重点研究了如何通过升降机构来扩展测量仪的量程。基于该结构设计的位移传感器，可实现0～50mm的测量范围，测量精度达±3μm。实验结果表明，该结构在超厚产品减薄工艺中具备良好的实时在线测量与加工性能，展现出广阔的应用前景。晶锭减薄,大量程测量仪,测量精度